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荷商微影设备大厂ASML在2012年提出的 客户联合投资专案 （Customer Co-Investment Program），广邀台积电、英特尔（Intel）和三星电子（Samsung Electronics） 三家半导体大厂投资入股研发18寸晶圆（450mm）机台和极紫外光（EUV）机台，不过，现在整个半导体产业链对于18寸晶圆世代的来临已无急迫需求， 研发资金会以12寸晶圆（ 00mm）的EUV机台为主，18寸晶圆计划已紧急踩煞车。

荷商微影设备大厂ASML在全球微影设备的市占率高达80%，也是全球唯一有能力量产EUV机台的半导体设备供应商，主要的竞争对手日厂尼康（Nikon）和佳能（Canon）都不是对手，因此，ASML身上也肩负着延续摩尔定律的使命。

ASML为了延续半导体制程演进和生产成本的逐渐下降，2012年发起的 客户联合投资专案 获得英特尔、三星电子、台积电入股投资，当时的研发分为两个部分，一是EUV机台设备，另一是450mm机台设备。

但从2014年起，陆续传出英特尔等针对旗下的450mm计划喊停，台积电也宣布投资ASML的阶段性任务已经结束，已经预售手上的ASML持股，2015年可认列210亿元获利。

ASML表示，现阶段半导体产业暂时不需要18寸晶圆世代，当初三大半导体针对18寸晶圆的投资，会陆续转去研发12寸晶圆（ 00mm）的EUV机台，将EUV机台技术做到尽善尽美，达到生产效率高且精准的目标。

半导体业者认为，18寸晶圆世代的来临，当初各方都不看好，因为整个半导体产业的投资金额太大，设备厂也不愿意投入研发，即使投入后，也根本没几个客户会买单，连英特尔、三星、台积电这 家一定会盖18寸晶圆厂的客户到最后也是踌躇不前。

目前ASML把所有资源放在EUV技术研发上，根据ASML表示，半导体的Lithography和微影叠对量测技术（Overlay Metrology）上，在28纳米制程分别为6道和7道、20纳米制程为8道和9道、10纳米的Lithography步骤高达2 道，而 Overlay Metrology步骤有 6~40道。

7纳米的Lithography步骤更是达 4道、Overlay Metrology步骤为59~65道，但若是用EUV生产7纳米制程，Lithography和Overlay Metrology技术只需要分别9道和12道。

原本ASML的EUV机台因为每小时生产晶圆片数量未达目标，导致成本垫高，但日前半导体产业举行的SPIE先进微影论坛中，台积电对外宣布ASML的NXE: 00B型号EUV机台，已经达到单日曝光超过1，000片晶圆的目标，再次刷新纪录。

台积电目前已经安装2台NXE: 00B的EUV系统，另有2台新一代EUV系统NXE: 50B将于2015年完成出货，而原先已安装的2台NXE: 00B也将升级到NXE: 50B效能。

这个突破让台积电对于EUV效能感到放心，目标是在2016年底前达到单日曝光1，500片晶圆的目标，对于逻辑制程走到10纳米和7纳米、记忆体DRAM技术走到15纳米制程深具信心。

ASML目前在台湾的半导体客户包括台积电、联电、南亚科、华亚科、华邦、旺宏、瑞晶（现为台湾美光）等，大陆客户包括中芯国际等。

由于有EUV机台助阵，大客户台积电已经表示生产效率大为突破，因此ASML有信心2020年营运达到100亿欧元，届时EUV机台会占营收超过50%

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