安森美推出新型碳化硅产品助力电动汽车和混力量

安森美推出新型碳化硅产品 助力电动汽车和混合动力汽车行业

5月14日，据外媒报道，在2019年欧洲PCIM电力电子贸易展上，安森美半导体公司展示新款基于碳化硅（SiC）的混合IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，以及隔离高电流IGBT门驱动器。这些产品采用硅基IGBT，结合SiC肖特基二极管技术，充分利用SiC技术的效率优势和硅的成本优势。

据了解，金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 目前中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20——3.25，显微硬度为2840——3320kg/mm2。

碳化硅制品可以分为很多类，根据不同的使用环境，分为不同的种类。一般使用到机械上比较多。例如使用到机械密封件上，可以称为碳化硅密封环，可以分为静环、动环、平环等。也可以根据客户的特别要求，制作出各种形状的碳化硅制品，例如碳化硅异形件，碳化硅板，碳化硅环等。

碳化硅的制品之一的碳化硅陶瓷具有的高硬度、高耐腐蚀性以及较高的高温强度等特点，这使得碳化硅陶瓷得到了广泛的应用。

SMM 11月18日讯：近期铜价走势如何？上海有色（SMM）对国内21家铜板带箔企业调研结果显示 在应用在密封环上:碳化硅陶瓷的耐化学腐蚀性好、强度高、硬度高，耐磨性能好、摩擦系数小，且耐高温，因而是制造密封环的理想材料。它与石墨材料组合配对时，其摩擦系数比氧化铝陶瓷和硬质合金小，因而可用于高PV值，特别是输送强酸、强碱的工况中使用。我公司生产的SIC-1型碳化硅常压烧结制品，具有密度高、硬度高、生产批量大、可生产复杂形状制品的特点，适用于高性能的密封件中使用，特别是高 PV 值及耐强酸、强碱的工况。而我公司生产的SIC-3型碳化硅陶瓷制品是含石墨的碳化硅材料。由于在碳化硅基体中含有大量的弥散细小的石墨颗粒，与其它材料配对使用时，其摩擦系数非常小，具有良好的自润滑性能，特别适用于制作气密封或有干摩擦工况的密封件中使用，从而使密封件的使用寿命及工作的可靠性提高。

AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止式IGBT和SiC肖特基二极管技术，在多种电力应用中，降低传导损耗和开关损耗，包括那些将受益于反向恢复损耗减少的应用，如基于图腾柱的无桥功率因数校正（PFC）和变流器。硅基解决方案性能较低，完全基于SiC的解决方案成本又较高，该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管联合封装，在性能和成本之间实现良好平衡。它的额定工作电压为650V，能处理高达100 A @ 25°C (50 A @ 100°C)的连续电流，以及高达200 A的脉冲电流。对于需要更大电流能力的系统，正温度系数让并行操作变得简单易行。

现代电动汽车不仅依靠能源行驶，在某些情况下，还可以储存能源，在高峰时间为家庭供电。因此，需要一个双向充电器，能够高效率开关充电，确保能源在传输过程中不致浪费。在此类用例中，带有外部SiC二极管的IGBT，比MOSFET解决方案更加有效，因为没有正向或反向复置损失。AFGHL50T65SQDC可以在最高175℃的结温下工作，适用于要求非常严格的电力应用，包括汽车在内。另外，它完全符合AEC-Q101标准，可用于电动汽车和混合动力汽车车载充电器。

除了新款混合IGBT，安森美半导体还将在PCIM上发布一系列隔离高电流IGBT驱动器。NCD(V)57000系列针对多种电力应用，包括太阳能变流器、马达驱动器、不间断供电系统(UPS)和汽车应用，如动力系统和PTC加热器。

NCD(V)57000系列是高电流单通道IGBT驱动器，采用内部电流安全隔离设计，可在要求高的电力应用中高效运行。该器件具有互补输入、开路漏极故障和就绪输出、有源米勒箝位、精准欠压锁定、软关断去饱和DESAT保护、负门极电压引脚和独立高低驱动器输出，实现系统设计的灵活性。它的额定电流隔离值大于5 kVrms，符合UL1577标准；工作电压高于1200V；保证8mm爬电距离(输入输出)，可满足强化安全隔离要求。NCD(V)57000可产生7.8A驱动电流和7.1A汲电流，超过若干竞品的三倍。更重要的是，在开关波形中的米勒高原运行时，电流能力更强。加上领先的保护功能，堪称为一流的IGBT驱动器。