比苹果A9还强大三星S7处理器有多dia

三星全新旗舰Galaxy S7/S7 edge已经在MWC2016开幕的前一天发布，S7/S7 edge身上有许多亮点，例如双曲面Super AMOLED屏幕，IP68级别的三防功能，佳能全双核传感器技术等等，这确切能给用户很多全新的体验。而硬件配置作为良好体验的基础，旗舰的Galaxy S7/S7 edge又怎能落后呢?关于三星自主设计/制造的处理器，你又知多少呢?今天，笔者和大家一起聊聊三星处理器的发展历程，以及Galaxy S7/S7 edge的“大脑”:Exynos 8890与骁龙820。

三星制造处理器已15个年头

三星作为半导体领域的IDM厂商，其本身具有IC的设计能力和生产能力。三星移动处理器（以下简称为Soc）发展至今已经经历了15个年头，其中很多经典的移动产品像 1代、iPod nano 2都搭载有三星的Soc。除了Soc之外，三星的产业（移动设备内）还涉及到多方面的设计制造，例如上的LPDDR /4 RAM、eMMC/UFS标准的ROM芯片、OLED屏幕、摄像头模块等等，是全球仅有的一家核心部件自给自足的厂商。当然，以上提及到的产品都可以出售，三星也有自己的晶圆生产基地，用于自家芯片的生产和别家Fabless厂商的芯片代工，例如A9处理器，高通骁龙820处理器等等。关于IDM与Fabless的区别请点击:《技术分析第55期:Soc工艺你知多少?》

三星移动处理器15年发展历程

年份

处理器型号

装备型号

核心数量

架构

工艺

2000

S C44B0X

Danger HipTop()

1

arm7TCMI

250nm

200

S C2410

惠普iPAQ H1940(PDA)

1

arm920T

180nm

2006

S5L8701

苹果iPod nano 2(MP )

1

arm940T

180nm

2007

S5L8900

苹果iPhone 1代

1

arm1176JZF-S

90nm

2009

S C6411

Galaxy Spoca

1

arm1176JZF-S

65nm

2010

Exynos 110

Galaxy S

1

蜂鸟

45nm

2011

Exynos 4210

Galaxy S2

2

猎户座

45nm

2011

Exynos 5250

Nexus 10(平板)

2

arm A15

2nm

2012

Exynos 4412

Galaxy S

4

arm A9

2nm

201

Exynos 5410

Galaxy S4

8

arm A15+A7

28nm

201

Exynos 5420

Galaxy Note

8

arm A15+A7

28nm

2014

Exynos 5422

Galaxy S5

8

arm A15+A7

28nm

2014

Exynos 54 0

Galaxy Alpha

8

arm A15+A7

20nm

2014

Exynos 54

Galaxy Note4

8

arm A57+A5

20nm

2015

Exynos 7420

Galaxy S6

8

arm A57+A5

14nm

2015

Exynos 8890

Galaxy S7

8

M1+arm A5

14nm

Exynos 4210/4212:三星首款双核处理器

Exynos 4210/4212有一个为人熟习的名字:猎户座，其首次搭载在三星首款双核:Galaxy S2（I9100）上，虽然这款神机年事已高，但CM团队甚至为其推出了Android 6.0的Nightlies版本。Exynos 4210采取45nm制程节点制造，内置两颗1.2GHz的armCortex-A9核心，集成Mali T400 GPU，支持LPDDR2/ 内存，支持 0/1080p的高清拍摄回放，性能不弱于同期的高通MSM8260以及Nvidia的Tegra 2。

Galaxy S2

除了Galaxy S2，这款处理器也搭载在Galaxy Note和魅族MX上面。而以后的Exynos4212更是升级到 2nm HKMG制程工艺，主频提高到1.5GHz。

Exynos 4412:4核心Cortex-A9架构

虽然Exynos 4412同样采取4210/4212上的Cortex-A9核心，但 2nm HKMG的制程工艺却让Cortex-A9发挥得更完善，以至于Exynos 4412内置4核A9在性能和功耗上都取得了更好的平衡，GPU方面Exynos 4412仍然集成Mali T400，同样支持当时最高规格的LPDDR ，整体性能上和高通Snapdragon S4不相上下，但功耗控制却比S4更优秀。

Galaxy S

Exynos 4412搭载在Galaxy S 上面，而Galaxy Note2、魅族MX2同样采取这款处理器。

Exynos 7420:更争气的A57+A5 架构

Exynos 7420搭载在Galaxy S6系列机型上，是三星首款14nm FinFET LPE工艺的处理器产品，其内置4*A57+4*A5 核心，A57主频高达2.1GHz，集成Mali T760 GPU，也是三星首款支持LPDDR4内存的Soc，因为基于14nm LPE工艺，Exynos 7420性能强劲之余也非常火热，但已经比隔壁家的要好。

Galaxy S6 edge+

当然，除了上述的 款处理器以外，三星还有相当多值得一提的经典处理器，例如业界首款采取Cortex-A15内核的双核Exynos 5250/4核Exynos 5410拍保定看牛皮癣医院那客，与骁龙810同为A57+A5 核心的Exynos 54 。考虑到文章篇幅太长，笔者就不一一解析了。而Exynos 8890作为三星2016年旗舰Soc，它到底是怎样的呢?莫慌，继续往下看。

Galaxy S7处理器共有两个版本

据悉，三星Galaxy S7拥有两个处理器的版本，分别搭载了Exynos 8890和高通820。而更有消息指国行S7采取的是高通骁龙820版本，而国际版采用的是Exynos 8890，这可能是由于1.国行有电信CDMA制式，而高通820内置的基带和捆绑的射频芯片组支持全通，三星也就免去了像Galaxy S6外挂高通基带实现全通的麻烦事，2.高通骁龙820采取三星14nm FinFET LPP制程工艺制造，换句话来说就是不热了，三星也更愿意使用骁龙820。

Exynos 8890参数解析:自主架构更强大

三星旗舰Soc，Exynos 8890基于三星14nm FinFET LPP工艺（比苹果A9的制程工艺更先进），在制程节点上与上代旗舰Exynos 7420相同，而工艺则从FinFET LPE升级到LPP，具有更低的漏电率，核心频率也能进一步拉高。而架构方面，8890内置4*Mongoose+4*A5 核心（共8核心设计），前面4个自主研发的Mongoose内核主频可达2. GHz（超频可达2.5GHz）用于提高性能，后面4个A5 核心主频为1.56GHz（超频可达2.2GHz）用于兼顾功耗。而GPU（图形处理器）方面则为Mali T880 12核心设计（据悉存在配备16核心的版本）。

Exynos 8890

而内存方面照旧为双通道的LPDDR4，值得一提的是Exynos 8890首次集成了基带，下行支持Cat 12，理论速度达到600Mbps，而上行也支持到Cat 1 ，理论速度达到150Mbps。是三星自主处理器的又一里程碑。

Exynos 8890简易参数表

Soc型号

三星Exynos 8890

制程工艺

三星14nm FinFET LPP

核心

4*M1+4*A5

GPU

Mali T880 MP12

协处理器

不详

ISP

不详

基带

双LTE Cat12/1

RAM支持

双通道LPDDR4

ROM支持

eMMC 5.X/UFS2.0

Exynos 8890性能测试:比上代7420/骁龙810强很多

结果来自Geekbench数据库与GFXbench（全为Offscreen）数据库。

Exynos 8890/骁龙810/Exynos 7420汇总

Exynos 8890

骁龙810

Exynos 7420

CPU

单核

2294

1228

1487

多核

6908

4198

50 0

GPU

Car Chase（fps）

15.

11.2

9.1

Manhattan .1（fps）

25.8

19.7

14.7

Manhattan（fps）

7.7

21.9

26

T-Rex（fps）

81.

47.9

56.9

由于搭载Exynos 8890的机型还没开卖，所以仅能通过理论跑分成绩来说明其性能表现。单从数据上看来，Exynos 8890的单核性能已经比高通上代旗舰骁龙810以及三星上代旗舰Exynos 7420强不少，Exynos 8890的单核性能基本上是骁龙810、Exynos 7420的两倍，而GPU方面，Exynos 8890同样领先于另外二者，不管CPU性能还是GPU性能都有较大幅度的提升。

而随着Exynos 8890的机型逐渐出货，其驱动和软件/游戏的优化也会陆续跟上，相信具体性能会继续往上爬升。

14nm LPP工艺的Exynos 8890发热更少

可能很多朋友会对这款处理器产生疑问，这么强大的处理器，发热怎样。鉴于笔者手上也没有搭载这款处理器的相应机型，所以具体发热状况暂且不妄下定论。但Exynos 8890采取14nm FinFET LPP工艺制造，相信发热“理论”上会得到控制，究竟FinFET是什么?它又有什么作用呢?笔者来简单论述一下。

FinFET显微图

其实早在10多年前，就有人提出FinFET这个结构让游客大饱眼福，FinFET主要重新设计了晶体管里面的S/D两级以及最为关键的Gate结构（什么是S/D/Gate今天不说，不然文章起码要多2000字），让Gate对通/断的控制力更强，也就是在更先进的制程节点上，减少S/D两级之间的漏电流，而漏电流会直接影响处理器的功耗。而骁龙810的20nm HKMG工艺，就是Gate控制力低下（对于20nm节点），导致漏电问题严重，所以发热和功耗得不到良好的控制。

FinFET工艺示意图

而台积电/三星在16nm/14nm节点上都使用了FinFET技术，增强了Gate对S/D的控制力，减少漏电流。此外，随着三星14nm FinFET LPE过渡到LPP工艺的成熟，良品率会逐步上升，本钱渐渐下落，也利于三星在晶圆的制造进程中使用更好的工艺去控制功耗。

Exynos 8890的发热情况本站将会进行相应的测试。

总结:三星自主处理器的又一里程碑

搭载Exynos 8890的Galaxy S7已经发布。另外，在15年12月的骁龙820亚洲首秀上，高通表示已有超过70款终端采取这颗处理器，相信到现在已突破了这1数字。

Exynos 8890作为三星首款集成基带模块的处理器，其身上有着相当多创新之处，例如自主设计的Mongoose核心和自主架构+arm 公版架构的双簇式设计，能很好地统筹高性能与低功耗。整体来说，Exynos 8890的性能表现在2016年夺下平台处理器性能宝座并不是问题。

但是，Exynos 8890多核性能秒苹果A9不是问题，而工艺上面也采用比A9 LPE更强的LPP。

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